Quando o JFET está saturado (na região ôhmica), a tensão VDS situa-se entre 0V e 4V, dependendo da reta de carga. A tensão de saturação mais alta (4V) é igual à intensidade da tensão de corte da porta-fonte (VGS(Off) = - 4V). Esta é uma propriedade inerente a todos os JFET. Quando se trabalha com a polarização cuja a é constante podemos fazer algumas considerações com relação ao comportamento esperado do transistor JFET. Com base nesse comportamento, avalie as seguintes afirmativas assinalando (V) para as verdadeiras ou (F) para as falsas:
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Resposta Certa: V V V V
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Resposta:
e. V-V-V-V
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