Question

O Transistor bipolar de porta isolada - IGBT é um transistor de potência controlado por tensão, semelhante ao MOSFET.

Assinale a alternativa correta.

O IGBT apresenta altas perdas no chaveamento e baixas durante a condução.

Em relação a velocidade ele é mais rápido que o transistor bipolar de junção e que o MOSFET.

O IGBT possui baixo ruído, baixa distorção e capacidade de potência em altas frequências de áudio.

O IGBT associa a vantagem do transistor bipolar (baixa perda durante a condução) às do MOSFET ( baixa impedância de entrada).

Devido a sua estrutura, a resistência entre o dreno e a fonte do IGBT é controlada de forma que ele se comporte como um transistor bipolar

Answer 1

Resposta:

Devido a sua estrutura, a resistência entre o dreno e a fonte do IGBT é controlada de forma que ele se comporte como um transistor bipolar

Corrigido DNM.

Answer 2

Resposta:

Devido a sua estrutura, a resistência entre o dreno e a fonte do IGBT é controlada de forma que ele se comporte como um transistor bipolar

Explicação:

Corrigido pelo AVA