Question

Nos semicondutores intrínsecos, o comportamento elétrico depende apenas da estrutura eletrônica do material puro, não necessitando de impurezas. O contrário ocorre nos semicondutores extrínsecos, nos quais o comportamento elétrico está intimamente relacionado com as impurezas inseridas. À temperatura ambiente, as mobilidades dos elétrons e dos buracos para o silício intrínseco são 0,14 e 0,05 m^2/V.s respectivamente. Calcule a condutividade e a resistividade para este material. Considere que o número de portadores intrínsecos é 1,5x10^16m^-3

Answer 1

§=4,56*10^-4 (omega*m)^-1 e P=2,19*10^3 omega*m

Answer 2

§=4,56*10^-4 (omega*m)^-1 e P=2,19*10^3 omega*m