Características do Semicondutores / Diodos I. Vimos nos condutores, que a condutividade diminui com a variação de temperatura. Por outro lado, a condutividade dos semicondutores aumenta com o variação de temperatura; II. Os diodos são construídos juntando-se pedaços de material tipo P e tipo N. Aplicando-se uma tensão no par surge uma corrente, cujo valor é função se a tensão está polarizando diretamente a junção ou não e do valor dessa tensão. III. Obtém-se um diodo juntando – se duas camadas de materiais semicondutores tipo P e tipo N. Na região tipo P ocorre falta de cargas negativas, ou excesso de cargas positivas. IV. No material de tipo N ocorre excesso de cargas negativas, ou elétrons livres. As cargas positivas também são chamadas de “ lacunas “ . V. Materiais tipo P são formados por cristais de silício dopados com material trivalente como o Boro. Materiais tipo N são formados por cristais de silício dopados com material pentavalente, como o fósforo. VI. Ao serem reunidas duas pastilhas tipo P e tipo N na região de contato surge uma região neutra, denominada “região de esvaziamento” ou “depleção” VII. Diodos de germânio: apresentam elevados valores de corrente quando submetidos a pequenos valores de tensão direta. Um exemplo é o 1N34A. VIII. Diodos de silício comuns: a tensão de barreira é de cerca de 0,3 volts, em contraste com os de germânio que é de 0,7 volts. Podem suportar tensões até 1000volts e correntes de até 100 ampéres. Podem ser empregados como reticadores ou como chaves. Um exemplo é o 1N914. IX. Diodos Zener: são empregados como tensões de referência ou reguladores. São classicados em dois tipos: reguladores de tensão, diodos de tensão de referência. As tensões variam de 2,4 a 200 volts. A potência de dissipação varia de 0,25 a 200 watts. Operam com valores em torno de 5 a 10 mA.
Assinale a alternativa correta:
Apenas I, III, IV, IX
II, III, V, VI, VII, VIII, IX
I, II, III, IV, V, VI, VII, IX.
I, II e III, V, VI, VIII,
I e II, IV, VIII, XIII
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I, II, III, IV, V, VI, VII, IX.
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As afirmativas corretas são I, II, III, IV, V, VI, VII, IX.
Diodo de Junção é uma estrutura formada a partir de uma junção PN, que por sua vez é a estrutura básica que compõe os semicondutores, tais como os próprios diodos e os transistores.
Diodo semicondutor é um elemento ou componente eletrônico composto de um cristal semicondutor de silício ou germânio numa película cristalina cujas faces opostas são dopadas por diferentes materiais durante sua formação, o que causa a polarização de cada uma das extremidades.
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