Um dos semicondutores mais abundantes em nosso planeta é o silício, que pode ser extraído da areia. O silício em seu estado natural apresenta-se como mal condutor, no entanto, ao passar por um processo chamado de "dopagem", este passa a adquirir propriedades de condução elétrica.
Sobre o processo de dopagem, considere as afirmações a apresentadas a seguir.
I – O processo de dopagem constitui na inserção de silício modificado em laboratório no silício convencional.
II – Permite o surgimento de cargas livres.
III – A junção PN é a estrutura fundamental de um Diodo.
IV – A dopagem que proporciona a existência de um ou mais elétrons livres é chamada de dopagem tipo P.
V – A dopagem que proporciona o surgimento de lacunas é chamada de dopagem tipo N.
Assinale a alternativa que indica quais afirmações estão corretas.
Alternativas:
a)
II e III.
Alternativa assinalada
b)
I, II e III.
c)
III, IV e V.
d)
I, II, IV e V.
e)
I, II, III, IV e V.
Soluções para a tarefa
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A alternativa correta é a d) I, II, IV e V.
Dopagem eletrônica ou simplemente dopagem, quando não houver possibilidade de confusão ou pelo uso no domínio específico ou restrito da eletrônica de semicondutores, é a adição de impurezas químicas elementares (usualmente índio ou fósforo) em elemento químico semicondutor puro (ou o germânio ou o silício, notadamente.
É possível alterar o comportamento do silício e transformá-lo em um condutor dopando-o. Na dopagem, mistura-se uma pequena quantidade de impurezas a um cristal de silício. Existem dois tipos de impurezas: Tipo N - Na dopagem tipo N, o fósforo ou o arsênico é adicionado ao silício em pequenas quantidades.
Espero ter ajudado.
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