Os materiais semicondutores, como o Silício, o Germânio, são materiais semicondutores encontrados na natureza em sua forma mais pura, não possuindo ainda as características desejadas para a aplicação em componentes semicondutores, são chamados de materiais intrínsecos. Neste caso é necessário introduzir impurezas no material semicondutor para que ele passe a ter as características de um semicondutor, passando a chamar de material extrínseco.
Os materiais intrínsecos não possuem as características semicondutoras, porém para que estes materiais se tornem extrínsecos, é necessário fazer o processo de dopagem do material semicondutor, o que é este processo de doping?
Escolha uma:
a. é o processo de transformação do semicondutor em um componente eletrônico.
b. adição ao cristal intrínseco de uma pequena quantidade de impureza com propriedades adequadas, alterando o comportamento elétrico do semicondutor.
c. é o processo pelo qual deixamos o cristal com as mesmas quantidades de cargas elétricas positivas e negativas.
d. é a exclusão das impurezas que o cristal extrínseco contém, deixando o cristal em sua forma mais pura.
e. é a substituição das impurezas encontradas no material semicondutor, mudando suas característica elétricas.
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Letra 'b
Dopagem - é a adição de impurezas químicas elementares (usualmente índio ou fósforo) em elemento químico semicondutor (ou o germânio ou o silício, notadamente este último, na era atual), com a finalidade de dotá-los de propriedades de semicondução controlada específica (presença majoritária de portadores de carga ou tipo P, as lacunas, ou tipo N, os elétrons, respectivamente para as adições de índio e de fósforo), para aplicação em dispositivos eletrônicos elementares de circuitos.
Dopagem - é a adição de impurezas químicas elementares (usualmente índio ou fósforo) em elemento químico semicondutor (ou o germânio ou o silício, notadamente este último, na era atual), com a finalidade de dotá-los de propriedades de semicondução controlada específica (presença majoritária de portadores de carga ou tipo P, as lacunas, ou tipo N, os elétrons, respectivamente para as adições de índio e de fósforo), para aplicação em dispositivos eletrônicos elementares de circuitos.
marinarcoral:
Correto: b. adição ao cristal intrínseco de uma pequena quantidade de impureza com propriedades adequadas, alterando o comportamento elétrico do semicondutor.
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1
Resposta:
adição ao cristal intrínseco de uma pequena quantidade de impureza com propriedades adequadas, alterando o comportamento elétrico do semicondutor.
Explicação:
Corrigido pelo AVA
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