Question

O transistor é um componente eletrônico que revolucionou a indústria eletrônica a partir da década de 60. Ele é produzido através da dopagem de um semicondutor. O coeficiente de difusão do fósforo no silício é de 6,5×10-13cm2/s na temperatura de 1100 ℃. A fonte de fósforo fornece uma concentração de 1020 átomos/cm3 e o tempo de difusão é 2 horas. Em qual profundidade a concentração do wafer de silício será de 1019 átomos/cm3, considerando que inicialmente o silício não contém fósforo. Dados: erf(z) = 0,9; quando z = 1,2. Grupo de escolhas da pergunta 3,28 µm 2,74 µm 1,64 µm 5,19 µm

Answer 1

Resposta:

Explicação:

C

Answer 2

Resposta:

3,28 um

Explicação: