Question

O transístor bipolar de porta isolada (IGBT) é um dispositivo semicondutor que reúne as características de tecnologia unipolar (MOSFET), no comando, e de tecnologia dos transístores bipolares (TJB), na condução. Estas duas tecnologias apresentam características que se complementam.

Disponível em: acesso em 24 de agosto de 2018.
A partir dessas informações, são características importantes do IGBT quando comparados aos MOSFET.

Escolha uma:
a.
Baixa dissipação de potência e baixa velocidade de comutação.

b.
Baixa dissipação de potência e alta velocidade de comutação.

c.
Anulação da dissipação de potência e alta velocidade de comutação.

d.
Alta dissipação de potência e baixa velocidade de comutação.

e.
Baixa queda de tensão, alta dissipação de potência e alta velocidade de comutação.

Answer 1

alternativa correta: Baixa queda de tensão, Alta dissipação de potência

e alta velocidade de comutação.

Answer 2

Resposta:

Baixa queda de tensão, alta dissipação de potência e alta velocidade de comutação.

Explicação: