O transístor bipolar de porta isolada (IGBT) é um dispositivo semicondutor que reúne as características de tecnologia unipolar (MOSFET), no comando, e de tecnologia dos transístores bipolares (TJB), na condução. Estas duas tecnologias apresentam características que se complementam.
Disponível em: acesso em 24 de agosto de 2018.
A partir dessas informações, são características importantes do IGBT quando comparados aos MOSFET.
Escolha uma:
a.
Baixa dissipação de potência e baixa velocidade de comutação.
b.
Baixa dissipação de potência e alta velocidade de comutação.
c.
Anulação da dissipação de potência e alta velocidade de comutação.
d.
Alta dissipação de potência e baixa velocidade de comutação.
e.
Baixa queda de tensão, alta dissipação de potência e alta velocidade de comutação.
Soluções para a tarefa
Respondido por
58
alternativa correta: Baixa queda de tensão, Alta dissipação de potência
e alta velocidade de comutação.
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7
Resposta:
Baixa queda de tensão, alta dissipação de potência e alta velocidade de comutação.
Explicação:
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