Question

O transístor bipolar de porta isolada (IGBT) é um dispositivo semicondutor que reúne as características de tecnologia unipolar (MOSFET), no comando, e de tecnologia dos transístores bipolares (TJB), na condução. Estas duas tecnologias apresentam características que se complementam. Disponível em: acesso em 24 de agosto de 2018. A partir dessas informações, são características importantes do IGBT quando comparados aos MOSFET. Escolha uma: a. Baixa dissipação de potência e alta velocidade de comutação. b. Anulação da dissipação de potência e alta velocidade de comutação. c. Alta dissipação de potência e baixa velocidade de comutação. d. Baixa queda de tensão, alta dissipação de potência e alta velocidade de comutação. e. Baixa dissipação de potência e baixa velocidade de comutação.

Answer 1

RESPOSTA CORRETA LETRA (D)

Answer 2

Resposta:

d. Baixa queda de tensão, alta dissipação de potência e alta velocidade de comutação. e. Baixa dissipação de potência e baixa velocidade de comutação.

(Corrigido pelo ava)

Explicação: