O IGBT é um dispositivo híbrido, criado a partir dos princípios de funcionamento do MOSFET e do TBJ, aliando a característica positiva de cada um deles, velocidade de comutação e dissipação de potência, na ordem.
Essa associação das duas estruturas disponibiliza os terminais:
Escolha uma:
a.
Porta, Dreno e Coletor
b.
Base, Dreno e Fonte
c.
Porta, Coletor e Emissor
d.
Coletor, Base e Emissor
e.
Porta, Fonte e Emissor
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Porta, Coletor e Emissor
resposta correta
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Resposta:
Porta, Coletor e Emissor
Explicação:
Porta, Coletor e Emissor
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