Ao aplicarmos um campo magnético perpendicularmente à uma corrente elétrica que atravessa um material semicondutor, teremos a deflexão lateral dos elétrons para um lado e dos buracos para outro. O resultado disso é uma diferença de potencial no material conhecida como tensão Hall 1 Considere uma chapa de silício intrínseco de 30mm de espessura conduzindo uma corrente de 1mA. Calcule a tensão Hall se aproximarmos um imã que produz um campo magnético de 0,1T . A mobilidade eletrônica do silício é1 e sua condutividade é1 Escolha uma: a. 1 b. 1 c. 1 d. 1 e. 1
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Resposta:
Vh = Rh.I.T / d
I = 1.10^-3 = 10^-3
T = 0,1
d = 30.10^-3
| Rh | =0,14 / 4.10^-4 = | 350 |
Vh = | 350 | .10^-3.0,1 / 30.10^-3
Vh= -1,167 V
Explicação:
não tem é assim mesmo
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