Física, perguntado por gustavobenficaoxm0mh, 1 ano atrás

Ao aplicarmos um campo magnético perpendicularmente à uma corrente elétrica que atravessa um material semicondutor, teremos a deflexão lateral dos elétrons para um lado e dos buracos para outro. O resultado disso é uma diferença de potencial no material conhecida como tensão Hall 1 Considere uma chapa de silício intrínseco de 30mm de espessura conduzindo uma corrente de 1mA. Calcule a tensão Hall se aproximarmos um imã que produz um campo magnético de 0,1T . A mobilidade eletrônica do silício é

Soluções para a tarefa

Respondido por ghgpopo
30

Vh = Rh.I.T / d

I = 1.10^-3 =  10^-3

T = 0,1

d = 30.10^-3

| Rh | =0,14 / 4.10^-4 = | 350 |

Vh = | 350 | .10^-3.0,1 / 30.10^-3


Vh=  -1,167 V


Obs..:  valor negativo pois estava em modulo




Usuário anônimo: Corretíssimo.
Respondido por wesleyx21
0

Resposta:

A sua resolução está incorreta e a resposta não bate com sua conta. Em relação ao valor ser negativo, não entendi seu argumento.

Explicação:

Você errou no calculo da mobilidade, mas o resultado está certo.

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