Física, perguntado por gabrielfg403, 1 ano atrás

Ao aplicarmos um campo magnético perpendicularmente à uma corrente elétrica que atravessa um material semicondutor, teremos a deflexão lateral dos elétrons para um lado e dos buracos para outro. O resultado disso é uma diferença de potencial no material conhecida como tensão Hall 1

Considere uma chapa de silício intrínseco de 30mm de espessura conduzindo uma corrente de 1mA. Calcule a tensão Hall se aproximarmos um imã que produz um campo magnético de 0,1T .? me ajudeeem por favor!

Soluções para a tarefa

Respondido por kiko100hu1000dade
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a resposta correta é a e
Respondido por AntonioNSFrazao
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Ao aplicarmos um campo magnético perpendicularmente à uma corrente elétrica que atravessa um material semicondutor, teremos a deflexão lateral dos elétrons para um lado e dos buracos para outro. O resultado disso é uma diferença de potencial no material conhecida como tensão Hall 1

Considere uma chapa de silício intrínseco de 30mm de espessura conduzindo uma corrente de 1mA. Calcule a tensão Hall se aproximarmos um imã que produz um campo magnético de 0,1T . A mobilidade eletrônica do silício é1  e sua condutividade é1

Escolha uma:

a. 1 ,167V

b. -1,183V

c. -1,175V

d. -1,197V

e. -1,167V Correto

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